गैलियम आर्सेनाइड
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गैलियम आर्सेनाइड | |
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पहचान आइडेन्टिफायर्स | |
सी.ए.एस संख्या | [1303-00-0][CAS] |
पबकैम | |
EC संख्या | |
UN संख्या | 1557 |
MeSH | gallium+arsenide |
RTECS number | LW8800000 |
SMILES | |
कैमस्पाइडर आई.डी | |
गुण | |
आण्विक सूत्र | GaAs |
मोलर द्रव्यमान | 144.645 g/mol[1] |
दिखावट | Gray crystals[1] |
गंध | garlic-like when moistened |
घनत्व | 5.3176 g/cm3[1] |
गलनांक |
1238 °C, 1511 K, 2260 °F |
जल में घुलनशीलता | insoluble |
घुलनशीलता | soluble in HCl insoluble in ethanol, methanol, acetone |
ऊष्मा चालकता | 0.56 W/(cm·K) (at 300 K)[3] |
रिफ्रेक्टिव इंडेक्स (nD) | 3.3[4] |
ढांचा | |
Crystal structure | Zinc blende |
T2d-F-43m | |
समन्वय ज्यामिती |
चतुष्फलकी (टेट्राहेड्रल) |
आण्विक आकार | Linear |
खतरा | |
NFPA 704 | |
Related compounds | |
Other आयन | गैलियम नाइट्राइड गैलियम फॉस्फेट गैलियम एन्टीमोनाइड |
जहां दिया है वहां के अलावा, ये आंकड़े पदार्थ की मानक स्थिति (२५ °से, १०० कि.पा के अनुसार हैं। ज्ञानसन्दूक के संदर्भ |
गैलियम आर्सेनाइड (Gallium arsenide / GaAs), एक रासायनिक यौगिक है जो गल्लियम और आर्सैनिक तत्त्वों से मिलकर बनता है। यह एक अर्धचालक पदार्थ है जिसकी क्रिस्टल संरचना जिंक ब्लेन्ड क्रिस्टल सांरचना जैसी है। गैलियम आर्सेनाइड से बहुत सी युक्तियाँ बनायी जातीं हैं, जैसे माइक्रोवेव आवृत्ति पर काम करने वाले एकीकृत परिपथ (IC), मोनोलिथिक माइक्रोवेव एकीकृत परिपथ, अवरक्त प्रकाश उत्सर्जक डायोड, लेज़र डायोड, सौर सेल, तथा प्रकाशीय खिड़कियाँ।
GaAs का उपयोग प्रायः अन्य III-V अर्धचालकों के एपितैक्सियल विकास के लिए सबस्ट्रेट पदार्थ के रूप में होता है, जैसे इंडियम गैलियम आर्सेनाइड, एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड आदि।