बैण्ड अन्तराल
ठोस अवस्था भौतिकी में बैण्ड अन्तराल (band gap) इलेक्ट्रान की ऊर्जा की वह परास (रेंज) है जिसमें किसी भी इलेक्ट्रान अवस्था (electron states) का अस्तित्व नहीं होता। इसे 'ऊर्जा अन्तराल' (इनर्जी गैप) भी कहते हैं। ठोसों के इलेक्ट्रानिक बैण्ड संरचना के ग्राफ में सामान्यतः संयोजी बैण्ड (वैलेंस बैंड) की ऊपरी सीमा तथा चालन बैण्ड (कंडक्शन बैंड) की निचली सीमा के ऊर्जा के अन्तर को बैण्ड अन्तराल कहते हैं। (कुचालकों एवं अर्धचालकों में)
कुछ पदार्थों के लिये बैण्ड अन्तरालों का मान
[संपादित करें]| समूह | पदार्थ | प्रतीक | बैण्ड अन्तराल (eV) @ 302K | सन्दर्भ |
|---|---|---|---|---|
| IV | हीरा | C | 5.5 | [1] |
| IV | सिलिकॉन | Si | 1.11 | [2] |
| IV | जर्मेनियम | Ge | 0.67 | [2] |
| III–V | गैलियम नाइट्राइड | GaN | 3.4 | [2] |
| III–V | गैलियम फास्फाइड | GaP | 2.26 | [2] |
| III–V | गैलियम नाइट्राइड | GaAs | 1.43 | [2] |
| IV–V | सिलिकॉन नाइट्राइड | Si3N4 | 5 | |
| IV–VI | लेड सल्फाइड | PbS | 0.37 | [2] |
| IV–VI | सिलिकॉन डाईआक्साइड | SiO2 | 9 | [3] |
| कॉपर आक्साइड | Cu2O | 2.1 | [4] |
सन्दर्भ
[संपादित करें]- ↑ Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics, 7th Edition. Wiley.
- 1 2 3 4 5 6 Streetman, Ben G.; Sanjay Banerjee (2000). Solid State electronic Devices (5th ed.). New Jersey: Prentice Hall. p. 524. ISBN 0-13-025538-6.
- ↑ Vella, E.; Messina, F.; Cannas, M.; Boscaino, R. (2011). "Unraveling exciton dynamics in amorphous silicon dioxide: Interpretation of the optical features from 8 to 11 eV". Physical Review B. 83: 174201. बिबकोड:2011PhRvB..83q4201V. डीओआई:10.1103/PhysRevB.83.174201.
- ↑ Baumeister, P.W. (1961). "Optical Absorption of Cuprous Oxide". Physical Review. 121 (2): 359. बिबकोड:1961PhRv..121..359B. डीओआई:10.1103/PhysRev.121.359.