सदस्य:Prerana kadur/प्रयोगपृष्ठ

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दखल अंदाजी[संपादित करें]

दो या दो से अधिक सुसंगत प्रकाश तरंगों के बीच एक हस्तक्षेप पैटर्न एक रिकॉर्डिंग परत (तस्वीर का विरोध करें) में स्थापित और दर्ज किया गया है। इस हस्तक्षेप पैटर्न में तीव्रता न्यूनतम और अधिकतममा का प्रतिनिधित्व करने वाली सीमाओं की एक आवधिक श्रृंखला होती है। पोस्ट-एक्सपोजर फोटोलिथोग्राफिक प्रोसेसिंग पर, आवधिक तीव्रता पैटर्न से संबंधित एक फोटोरेसिस्ट पैटर्न उभरता है।

२-किरण हस्तक्षेप के लिए, फ्रिंज-टू-फ्रिंज स्पेसिंग या अवधि (λ / २) / पाप (θ / २) द्वारा दी जाती है, जहां λ तरंगदैर्ध्य होता है और θ दो इंटरफेरिंग तरंगों के बीच कोण होता है। प्राप्त न्यूनतम अवधि तरंगदैर्ध्य आधा है।

३-किरण हस्तक्षेप का उपयोग करके, हेक्सागोनल समरूपता वाले सरणी उत्पन्न की जा सकती हैं, जबकि 4 किरण के साथ, आयताकार समरूपता या 3 डी फोटोनिक क्रिस्टल के साथ सरणी उत्पन्न होती हैं। बहु तरंग हस्तक्षेप के साथ (ऑप्टिकल पथ में एक विसारक डालने के द्वारा) परिभाषित स्थानिक आवृत्ति स्पेक्ट्रम के साथ अनावधिक पैटर्न की उत्पत्ति की जा सकती है। इसलिए, विभिन्न किरण संयोजनों को अतिसंवेदनशील करके, विभिन्न पैटर्न संभव बनाये जाते हैं।

उपयोग[संपादित करें]

[१]हस्तक्षेप लिथोग्राफी का उपयोग करने का लाभ फोकस के नुकसान के बिना व्यापक क्षेत्र में घने सुविधाओं की त्वरित पीढ़ी है। [२]एक वर्ग मीटर से अधिक क्षेत्रों के निर्बाध विवर्तन कर्कश हस्तक्षेप लिथोग्राफी द्वारा उत्पन्न किया गया है। [३] इसलिए, यह आमतौर पर बाद में सूक्ष्म या नैनो प्रतिकृति प्रक्रियाओं। [४] (उदाहरण के लिए नैनोइप्रप्रिंट लिथोग्राफी) के लिए मास्टर संरचनाओं की उत्पत्ति के लिए या नए तरंगदैर्ध्य (उदाहरण के लिए, ईयूवी या १ ९ ३ एनएम विसर्जन) के आधार पर लिथोग्राफी तकनीकों के लिए फोटोसेस्टिस्ट प्रक्रियाओं के परीक्षण के लिए प्रयोग किया जाता है। इसके अलावा, उच्च शक्ति वाले स्पंदित लेजर के लेजर बीम हस्तक्षेप करने से फोटोथर्मल और / या फोटोकैमिकल तंत्र के आधार पर सामग्री की सतह (धातु, सिरेमिक और पॉलिमर समेत) के प्रत्यक्ष उपचार को लागू करने का अवसर मिलता है। उपर्युक्त विशेषताओं के कारण, इस विधि को "डायरेक्ट लेजर हस्तक्षेप पैटर्न" (डीएलआईपी) में बुलाया गया है।

[५] या जैव प्रौद्योगिकी शामिल है।