प्रकाश-विलगक

इलेक्ट्रॉनिकी में प्रकाश-विलगक (opto-isolator) वह इलेक्ट्रॉनिक अवयव है जो किसी विद्युत संकेत को प्रकाश के माध्यम से एक परिपथ से दूसरे परिपथ में भेज सकता है, जो पहले परिपथ से विलगित (आइसोलेटेड) हो। इस प्रकार यह दो अलग-अलग वोल्तता पर स्थित परिपथों के बीच संकेतों का आदान-प्रदान कर सकता है। इस प्रकार इसका कार्य एक विलगक (आइसोलेटर) का है। किन्तु इसे प्रकाश-युग्मक (optocoupler या photocoupler) भी कहते हैं क्योंकि यह परस्पर विलगित दो परिपथों को संकेत द्वारा 'जोड़ने' का काम भी करता है। वाणिज्यिक रूप से उपलब्ध प्रकाश-विलगक १० हजार वोल्ट तक विलगन प्रदान करते हैं तथा 10 kV/μs तक के वोल्टेज परिवर्तन सह सकते हैं।

सबसे सामान्य प्रकाश-विलगक में एक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (LED) तथा एक फोटोट्रान्जिस्टर होता है। ये दोनों एक ही अपारदर्शी पैकेज के अन्दर निर्मित होते हैं। प्रायः प्रकाश-विलगकों का उपयोग अंकीय संकेतों (on-off) के संचार के लिये किया जाता है किन्तु कुछ विधियों का उपयोग करके इन्हें अनुरूप संकेतों के साथ भी काम में लिया जा सकता है।

इतिहास[संपादित करें]

एक ठोस-अवस्था प्रकाश उत्सर्जक को एक अर्धचालक संसूचक (detector) से युग्मित करके विद्युत-विलगन (isolation) प्राप्त करने का महत्व १९६३ में समझ में आया था। १९६८ में प्रकाश-प्रतिरोधक पर आधारित प्रकाश-युग्मक निर्मित किये गये।

प्रकार[संपादित करें]

युक्ति का प्रकार	प्रकाश का स्रोत^[1]	सेन्सर^[1]	गति	धारा अन्तरण अनुपात (Current transfer ratio)
Resistive opto-isolator (Vactrol)	Incandescent light bulb	CdS or CdSe photoresistor (LDR)	बहुत कम	<100%
	नियान लैम्प		कम
	GaAs infrared LED		कम
Diode opto-isolator	GaAs infrared LED	सिलिकॉन फोटोडायोड	सबसे अधिक	0.1–0.2%^[2]
Transistor opto-isolator	GaAs infrared LED	Bipolar silicon phototransistor	मध्यम	2–120%^[2]
Transistor opto-isolator	GaAs infrared LED	Darlington phototransistor	मध्यम	100–600%^[2]
प्रकाश-विलगित SCR	GaAs infrared LED	Silicon-controlled rectifier	कम से मध्यम	>100%^[3]
प्रकश-विलगित ट्रायक	GaAs infrared LED	TRIAC	कम से मध्यम	बहुत अधिक
ठोस अवस्था रिले	Stack of GaAs infrared LEDs	Stack of photodiodes driving a pair of MOSFETs or an IGBT	कम से अधिक	व्यावहारिक रूप से असीमित